Справочник транзисторов. MJD350T4G

 

Биполярный транзистор MJD350T4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD350T4G
   Маркировка: J350G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJD350T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  onsemi
mjd350t4g.pdfpdf_icon

MJD350T4G

MJD340,NJVMJD340T4G (NPN),MJD350,NJVMJD350T4G (PNP)High Voltage Powerhttp://onsemi.comTransistorsDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for line operated audio output amplifier, switchmodePOWER TRANSISTORSpower supply drivers and other switching applications.0.5 AMPEREFeatures300 VOLTS, 15 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic S

 8.1. Size:194K  motorola
mjd340re mjd350.pdfpdf_icon

MJD350T4G

Order this documentMOTOROLAby MJD340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD340High Voltage Power Transistors PNPMJD350*DPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers*Motorola Preferred Deviceand other switching applications. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

 8.2. Size:503K  st
mjd340 mjd350.pdfpdf_icon

MJD350T4G

MJD340MJD350COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX "T4")3 ELECTRICAL SIMILAR TO MJE340 ANDMJE3501APPLICATIONS SOLENOID/RELAY DRIVERS DPAK GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDTO-252AMPLIFIER (S

 8.3. Size:37K  fairchild semi
mjd350.pdfpdf_icon

MJD350T4G

MJD350High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 300 V VCEO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KT922G | AD-KTA1505-Y | 2SD1165A | BC846CLT1G | BFG197 | 2SC4505 | BSX87A

 

 
Back to Top

 


 
.