MJD44H11T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJD44H11T4G  📄📄 

Маркировка: J44H11G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для MJD44H11T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD44H11T4G даташит

 ..1. Size:148K  onsemi
 mjd44h11t4g.pdf pdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11, NJVMJD44H11 (NPN) MJD45H11, NJVMJD45H11 (PNP) Complementary Power http //onsemi.com Transistors DPAK For Surface Mount Applications SILICON POWER TRANSISTORS Designed for general purpose power and switching such as output or 8 AMPERES driver stages in applications such as switching regulators, converters, 80 VOLTS, 20 WATTS and power amplifiers. Features MARKING Le

 4.1. Size:569K  st
 mjd44h11t4a mjd45h11t4a.pdf pdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11T4-A MJD45H11T4-A Complementary power transistors . Features The devices are qualified for automotive application TAB2 Low collector-emitter saturation voltage Fast switching speed 3 Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix "T4") 1 DPAK Applications TO-252 Power amplifier Switching circuits Figure 1. Internal sche

 4.2. Size:210K  st
 mjd44h11t4-a.pdf pdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11T4-A MJD45H11T4-A Complementary power transistors . Features The devices are qualified for automotive application TAB2 Low collector-emitter saturation voltage Fast switching speed 3 Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix "T4") 1 DPAK Applications TO-252 Power amplifier Switching circuits Figure 1. Internal sche

 5.1. Size:148K  onsemi
 mjd44h11t5g.pdf pdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11, NJVMJD44H11 (NPN) MJD45H11, NJVMJD45H11 (PNP) Complementary Power http //onsemi.com Transistors DPAK For Surface Mount Applications SILICON POWER TRANSISTORS Designed for general purpose power and switching such as output or 8 AMPERES driver stages in applications such as switching regulators, converters, 80 VOLTS, 20 WATTS and power amplifiers. Features MARKING Le

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD42CG, MJD42CRLG, MJD42CT4G, MJD44E3T4G, MJD44H11-1G, MJD44H11G, MJD44H11RLG, MJD44H11T4-A, 431, MJD44H11T5G, MJD45H11-1G, MJD45H11G, MJD45H11RLG, MJD45H11T4-A, MJD45H11T4G, MJD47G, MJD47T4G