Справочник транзисторов. MJD44H11T4G

 

Биполярный транзистор MJD44H11T4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD44H11T4G
   Маркировка: J44H11G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJD44H11T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  onsemi
mjd44h11t4g.pdfpdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11,NJVMJD44H11 (NPN)MJD45H11,NJVMJD45H11 (PNP)Complementary Powerhttp://onsemi.comTransistorsDPAK For Surface Mount Applications SILICONPOWER TRANSISTORSDesigned for general purpose power and switching such as output or8 AMPERESdriver stages in applications such as switching regulators, converters,80 VOLTS, 20 WATTSand power amplifiers.FeaturesMARKING Le

 4.1. Size:569K  st
mjd44h11t4a mjd45h11t4a.pdfpdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11T4-AMJD45H11T4-AComplementary power transistors .Features The devices are qualified for automotive applicationTAB2 Low collector-emitter saturation voltage Fast switching speed3 Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix "T4") 1DPAKApplicationsTO-252 Power amplifier Switching circuitsFigure 1. Internal sche

 4.2. Size:210K  st
mjd44h11t4-a.pdfpdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11T4-AMJD45H11T4-AComplementary power transistors .Features The devices are qualified for automotive applicationTAB2 Low collector-emitter saturation voltage Fast switching speed3 Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix "T4") 1DPAKApplicationsTO-252 Power amplifier Switching circuitsFigure 1. Internal sche

 5.1. Size:148K  onsemi
mjd44h11t5g.pdfpdf_icon

MJD44H11T4G

MJD44H11,NJVMJD44H11 (NPN)MJD45H11,NJVMJD45H11 (PNP)Complementary Powerhttp://onsemi.comTransistorsDPAK For Surface Mount Applications SILICONPOWER TRANSISTORSDesigned for general purpose power and switching such as output or8 AMPERESdriver stages in applications such as switching regulators, converters,80 VOLTS, 20 WATTSand power amplifiers.FeaturesMARKING Le

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BSV10-10 | DTA123TET1G | DTA123YS3 | ESM2894 | BU931ZP | 2SD1074 | 2SC2408

 

 
Back to Top

 


 
.