Биполярный транзистор MJD50G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJD50G
Маркировка: J50G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO-252
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MJD50G Datasheet (PDF)
mjd50g.pdf

MJD47, NJVMJD47T4G,MJD50High Voltage PowerTransistorsDPAK For Surface Mount Applicationshttp://onsemi.comDesigned for line operated audio output amplifier, switchmode supplydrivers and other switching applications.NPN SILICON POWERFeaturesTRANSISTORS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves(No Suffix)1 AMPERE Electrically Similar to Popular
mjd47 mjd50.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJD47/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJD47*MJD50*High Voltage Power Transistors*Motorola Preferred DeviceDPAK For Surface Mount ApplicationsNPN SILICONDesigned for line operated audio output amplifier, switchmode power supply driversPOWER TRANSISTORSand other switching applications.1 AMPERE Lead Formed for Surface Mount Applications in
mjd50.pdf

MJD50HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4) ELECTRICAL SIMILAR TO TIP503APPLICATIONS SWITCH MODE POWER SUPPLIES1 AUDIO AMPLIFIERS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIERTO-252(Suffix T4)DESCRIPTIONThe MJD50
mjd47 mjd50.pdf

MJD47/50High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BFS91A | BUX78ASMD | 2SC901A | BSY88 | ZTX553 | DRA4144T
History: BFS91A | BUX78ASMD | 2SC901A | BSY88 | ZTX553 | DRA4144T



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo