MJD50G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MJD50G 📄📄
Маркировка: J50G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO-252
Аналоги (замена) для MJD50G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJD50G даташит
mjd50g.pdf
MJD47, NJVMJD47T4G, MJD50 High Voltage Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications http //onsemi.com Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply drivers and other switching applications. NPN SILICON POWER Features TRANSISTORS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) 1 AMPERE Electrically Similar to Popular
mjd47 mjd50.pdf
Order this document MOTOROLA by MJD47/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJD47* MJD50* High Voltage Power Transistors *Motorola Preferred Device DPAK For Surface Mount Applications NPN SILICON Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers POWER TRANSISTORS and other switching applications. 1 AMPERE Lead Formed for Surface Mount Applications in
mjd50.pdf
MJD50 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4 ) ELECTRICAL SIMILAR TO TIP50 3 APPLICATIONS SWITCH MODE POWER SUPPLIES 1 AUDIO AMPLIFIERS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND DPAK AMPLIFIER TO-252 (Suffix T4 ) DESCRIPTION The MJD50
mjd47 mjd50.pdf
MJD47/50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50 D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter
Другие транзисторы: MJD44H11T5G, MJD45H11-1G, MJD45H11G, MJD45H11RLG, MJD45H11T4-A, MJD45H11T4G, MJD47G, MJD47T4G, D667, MJD50T4G, MJD5731T4G, MJD6039T4G, MM420, MM421, MMBR571L, MMBR901L, MMBR911L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo










