MMBT2907A-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT2907A-G  📄📄 

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT2907A-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2907A-G даташит

 ..1. Size:143K  comchip
 mmbt2907a-g.pdf pdf_icon

MMBT2907A-G

General Purpose Transistor MMBT2907A-G (PNP) RoHS Device Features SOT-23 -Epitaxial planar die construction -Device is designed as a general purpose 0.118(3.00) 0.110(2.80) amplifier and switching. 3 -Useful dynamic range exceeds to 600mA 0.055(1.40) 0.047(1.20) As a switch and to 100MHz as an amplifier. 1 2 0.079(2.00) 0.071(1.80) 0.006(0.15) 0.003(0.08) 0.041(1.05) 0.

 4.1. Size:307K  panjit
 mmbt2907a-au.pdf pdf_icon

MMBT2907A-G

MMBT2907A-AU PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR POWER 225 mWatt VOLTAGE 60 Volt FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design 0.120(3.04) 0.110(2.80) Collector-emitter voltage VCE = -60V Collector current IC = -600mA AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 0.056(1.40) Green molding compound as per IEC 61249 standard 0.047(1.20) 0.079(2.00) 0.008(0.20)

 4.2. Size:4000K  msksemi
 mmbt2907a-ms.pdf pdf_icon

MMBT2907A-G

www.msksemi.com MMBT2907A-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (PNP) FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A- MS) 1. BASE Marking 2F 2. EMITTER SOT 23 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter

 4.3. Size:929K  cn salltech
 mmbt2907a-l mmbt2907a-h.pdf pdf_icon

MMBT2907A-G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT2222AWT1G, MMBT2222LT1, MMBT2222LT1G, MMBT2222W, MMBT2369ALT1G, MMBT2369LT1G, MMBT2484LT1G, MMBT28S, BC327, MMBT2907AGH, MMBT2907ALT1G, MMBT2907ALT3G, MMBT2907ALTG, MMBT2907AM3, MMBT2907AWT1G, MMBT2907-G, MMBT3416LT3G