MMBT2907ALT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT2907ALT3G  📄📄 

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT2907ALT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2907ALT3G даташит

 ..1. Size:122K  onsemi
 mmbt2907alt3g.pdf pdf_icon

MMBT2907ALT3G

MMBT2907AL, SMMBT2907AL General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 1 PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit

 3.1. Size:114K  onsemi
 mmbt2907alt1-d.pdf pdf_icon

MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT1G General Purpose Transistors PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -60 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -60 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -600 mAdc

 3.2. Size:122K  onsemi
 mmbt2907alt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907ALT3G

MMBT2907AL, SMMBT2907AL General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 1 PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit

 3.3. Size:944K  first silicon
 mmbt2907altg.pdf pdf_icon

MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALTG PNP Silicon General Purpose Transistor Features Package outline Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish 3 Maximum Ratings 1 Rating Symbol 2907A Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO -60 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -60 Vdc SOT 23 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -600 mAdc 3 COLLECTOR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT2222W, MMBT2369ALT1G, MMBT2369LT1G, MMBT2484LT1G, MMBT28S, MMBT2907A-G, MMBT2907AGH, MMBT2907ALT1G, 2SC4793, MMBT2907ALTG, MMBT2907AM3, MMBT2907AWT1G, MMBT2907-G, MMBT3416LT3G, MMBT3904FA, MMBT3904FZ, MMBT3904-G