Справочник транзисторов. MMBT2907AWT1G

 

Биполярный транзистор MMBT2907AWT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT2907AWT1G
   Маркировка: 20
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для MMBT2907AWT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2907AWT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
 mmbt2907awt1g nsvmmbt2907awt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G,NSVMMBT2907AWT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 package whichis designed for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requ

 ..2. Size:50K  onsemi
 mmbt2907awt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G,NSVMMBT2907AWT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierhttp://onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 package whichis designed for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Re

 0.1. Size:50K  onsemi
 nsvmmbt2907awt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G,NSVMMBT2907AWT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierhttp://onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 package whichis designed for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Re

 2.1. Size:76K  motorola
 mmbt2907awt1rev0.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT2907AWT1/DPreliminary InformationMMBT2907AWT1General Purpose TransistorPNP SiliconMotorola Preferred DeviceThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT323/SC70 packagewhich is designed for low power surface mount applications.COLLECTOR3311

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT2484LT1G , MMBT28S , MMBT2907A-G , MMBT2907AGH , MMBT2907ALT1G , MMBT2907ALT3G , MMBT2907ALTG , MMBT2907AM3 , TIP35C , MMBT2907-G , MMBT3416LT3G , MMBT3904FA , MMBT3904FZ , MMBT3904-G , MMBT3904GH , MMBT3904-HF , MMBT3904LT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.