Справочник транзисторов. MMBT3906-G

 

Биполярный транзистор MMBT3906-G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT3906-G
   Маркировка: 2A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT3906-G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3906-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  comchip
 mmbt3906-g.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

General Purpose TransistorMMBT3906-G (PNP)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 -Epitaxial planar die construction0.119 (3.00)0.110 (2.80) -As complementary type, the NPN30.056 (1.40)transistor MMBT3904-G is recommended0.047 (1.20)1 2Collector0.079 (2.00)0.006 (0.15)30.003 (0.08)0.071 (1.80)0.041 (1.05) 0.100 (2.55)0.035 (0.90) 0.089 (2.25)1Base0.004 (0.10) m

 5.1. Size:1186K  kexin
 mmbt3906-d.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

SMD Type TransistorsPNP Transistors(KMBT3906-D)MMBT3906-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13Features1 2 Complementary to MMBT3904-D +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 Marking: 2A1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage

 5.2. Size:147K  comchip
 mmbt3906-hf.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

General Purpose TransistorMMBT3906-HF (PNP)RoHS DeviceHalogen FreeFeaturesSOT-23 -Epitaxial planar die construction0.119 (3.00)0.110 (2.80) -As complementary type, the NPN3transistor MMBT3906-HF is recommended0.056 (1.40)0.047 (1.20)1 20.079 (2.00)0.006 (0.15)Collector0.003 (0.08)0.071 (1.80)30.041 (1.05) 0.100 (2.55)0.035 (0.90) 0.089 (2.25)1Base

 5.3. Size:4190K  msksemi
 mmbt3906-ms.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

www.msksemi.comMMBT3906-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance TRANSISTOR (PNP)FEATURES As complementary type, the NPN transistor MMBT3904-MS is Recommended Epitaxial planar die construction 1. BASE2. EMITTERMARKING: 2ASOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT3904SL , MMBT3904TT1G , MMBT3904WG , MMBT3904WGH , MMBT3904WT1G , MMBT3904ZW , MMBT3906FA , MMBT3906FZ , 2SD313 , MMBT3906-HF , MMBT3906LT1G , MMBT3906LTG , MMBT3906SL , MMBT3906TT1G , MMBT3906WG , MMBT3906WGH , MMBT3906WT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.