MMBT3906-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT3906-G  📄📄 

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для MMBT3906-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3906-G даташит

 ..1. Size:124K  comchip
 mmbt3906-g.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

General Purpose Transistor MMBT3906-G (PNP) RoHS Device Features SOT-23 -Epitaxial planar die construction 0.119 (3.00) 0.110 (2.80) -As complementary type, the NPN 3 0.056 (1.40) transistor MMBT3904-G is recommended 0.047 (1.20) 1 2 Collector 0.079 (2.00) 0.006 (0.15) 3 0.003 (0.08) 0.071 (1.80) 0.041 (1.05) 0.100 (2.55) 0.035 (0.90) 0.089 (2.25) 1 Base 0.004 (0.10) m

 5.1. Size:1186K  kexin
 mmbt3906-d.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

SMD Type Transistors PNP Transistors (KMBT3906-D) MMBT3906-D SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features 1 2 Complementary to MMBT3904-D +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Marking 2A 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage

 5.2. Size:147K  comchip
 mmbt3906-hf.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

General Purpose Transistor MMBT3906-HF (PNP) RoHS Device Halogen Free Features SOT-23 -Epitaxial planar die construction 0.119 (3.00) 0.110 (2.80) -As complementary type, the NPN 3 transistor MMBT3906-HF is recommended 0.056 (1.40) 0.047 (1.20) 1 2 0.079 (2.00) 0.006 (0.15) Collector 0.003 (0.08) 0.071 (1.80) 3 0.041 (1.05) 0.100 (2.55) 0.035 (0.90) 0.089 (2.25) 1 Base

 5.3. Size:4190K  msksemi
 mmbt3906-ms.pdf pdf_icon

MMBT3906-G

www.msksemi.com MMBT3906-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (PNP) FEATURES As complementary type, the NPN transistor MMBT3904-MS is Recommended Epitaxial planar die construction 1. BASE 2. EMITTER MARKING 2A SOT 23 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3904SL, MMBT3904TT1G, MMBT3904WG, MMBT3904WGH, MMBT3904WT1G, MMBT3904ZW, MMBT3906FA, MMBT3906FZ, A1013, MMBT3906-HF, MMBT3906LT1G, MMBT3906LTG, MMBT3906SL, MMBT3906TT1G, MMBT3906WG, MMBT3906WGH, MMBT3906WT1G