MMBT3906LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT3906LT1G  📄📄 

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT3906LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3906LT1G даташит

 ..1. Size:128K  onsemi
 mmbt3906lt1g.pdf pdf_icon

MMBT3906LT1G

MMBT3906L, SMMBT3906L General Purpose Transistor PNP Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable http //onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER

 3.1. Size:120K  onsemi
 mmbt3906lt1-d.pdf pdf_icon

MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc 2 Collector-Base Voltage VCBO -40 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -200 mAdc

 3.2. Size:1670K  lge
 mmbt3906lt1.pdf pdf_icon

MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1 PNP General Purpose Transistor 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES A SOT-23 Epitaxial planar die construction. Dim Min Max A 2.70 3.10 E Complementary NPN type available B 1.10 1.50 K B C 1.0 Typical (MMBT3904). D 0.4 Typical E 0.35 0.48 J Collector Current Capability ICM =-200mA. D G 1.80 2.00 G H 0.02 0.1 Low Voltage(Max -40V). J 0.1 Typi

 3.3. Size:355K  willas
 mmbt3906lt1.pdf pdf_icon

MMBT3906LT1G

FM120-M WILLAS THRU MMBT3906LT1 General Purpose BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H PNP Silicon Low profile surface mounted application in order to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3904WG, MMBT3904WGH, MMBT3904WT1G, MMBT3904ZW, MMBT3906FA, MMBT3906FZ, MMBT3906-G, MMBT3906-HF, S9013, MMBT3906LTG, MMBT3906SL, MMBT3906TT1G, MMBT3906WG, MMBT3906WGH, MMBT3906WT1G, MMBT4124LT1G, MMBT4126LT1G