Справочник транзисторов. MMBT3906LTG

 

Биполярный транзистор MMBT3906LTG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT3906LTG
   Маркировка: 2A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT3906LTG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3906LTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  first silicon
mmbt3906ltg.pdfpdf_icon

MMBT3906LTG

MMBT3906LTGGeneral Purpose TransistorsPackage outlineFeatures We declare that the material of product compliance with RoHSrequirements.3Ordering Information1Device Marking Shipping2MMBT3906LTG 2A 3000/Tape & ReelSOT23Maximum Ratings3Rating Symbol Value UnitCOLLECTORCollector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc1Collector-Base Voltage VCBO -40 VdcBASEEmitt

 4.1. Size:120K  onsemi
mmbt3906lt1-d.pdfpdf_icon

MMBT3906LTG

MMBT3906LT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc2Collector-Base Voltage VCBO -40 VdcEMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -200 mAdc

 4.2. Size:128K  onsemi
mmbt3906lt1g.pdfpdf_icon

MMBT3906LTG

MMBT3906L, SMMBT3906LGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capablehttp://onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change RequirementsCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTER

 4.3. Size:1670K  lge
mmbt3906lt1.pdfpdf_icon

MMBT3906LTG

MMBT3906LT1 PNP General Purpose Transistor1. BASE 2. EMITTER3. COLLECTORFEATURES A SOT-23 Epitaxial planar die construction. Dim Min MaxA 2.70 3.10E Complementary NPN type available B 1.10 1.50K BC 1.0 Typical(MMBT3904). D 0.4 TypicalE 0.35 0.48J Collector Current Capability ICM =-200mA. DG 1.80 2.00GH 0.02 0.1 Low Voltage(Max:-40V).J 0.1 Typi

Другие транзисторы... MMBT3904WGH , MMBT3904WT1G , MMBT3904ZW , MMBT3906FA , MMBT3906FZ , MMBT3906-G , MMBT3906-HF , MMBT3906LT1G , 8550 , MMBT3906SL , MMBT3906TT1G , MMBT3906WG , MMBT3906WGH , MMBT3906WT1G , MMBT4124LT1G , MMBT4126LT1G , MMBT4400 .

History: BC169C | KTC3227 | CSC536H

 

 
Back to Top

 


 
.