Справочник транзисторов. MMBT4403LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT4403LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT4403LT1G
   Маркировка: 2T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT4403LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT4403LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  onsemi
mmbt4403lt1g.pdfpdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403L, SMMBT4403LSwitching TransistorPNP SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit

 3.1. Size:151K  onsemi
mmbt4403lt1.pdfpdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1GSwitching TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.comhttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -40 VdcCollector-Base Voltage VCBO -40 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous I

 3.2. Size:431K  willas
mmbt4403lt1.pdfpdf_icon

MMBT4403LT1G

FM120-M WILLASMMBT4403LT1THRUGeneral Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offersPNP Silicon better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order t

 4.1. Size:149K  onsemi
mmbt4403lt3g.pdfpdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403L, SMMBT4403LSwitching TransistorPNP SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit

Другие транзисторы... MMBT4400 , MMBT4401-G , MMBT4401GH , MMBT4401LT1G , MMBT4401M3 , MMBT4401WT1G , MMBT4403-G , MMBT4403GH , BC549 , MMBT4403M3 , MMBT4403WT1G , MMBT489LT1G , MMBT5087LT1G , MMBT5088LT1G , MMBT5089LT1G , MMBT5210 , MMBT5343-G .

History: MMBT3906FW | BTD6055M3 | L2SA1774QT3G | L8550SLT1G | 2SC4100N | 2SC378 | 2SC3822

 

 
Back to Top

 


 
.