Биполярный транзистор MMBT4403LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT4403LT1G
Маркировка: 2T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MMBT4403LT1G Datasheet (PDF)
mmbt4403lt1g.pdf

MMBT4403L, SMMBT4403LSwitching TransistorPNP SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit
mmbt4403lt1.pdf

MMBT4403LT1GSwitching TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.comhttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -40 VdcCollector-Base Voltage VCBO -40 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous I
mmbt4403lt1.pdf

FM120-M WILLASMMBT4403LT1THRUGeneral Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offersPNP Silicon better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order t
mmbt4403lt3g.pdf

MMBT4403L, SMMBT4403LSwitching TransistorPNP SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comhttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: RD9FE-V | 3DD13005_B3 | BSW75 | SML5001 | RT1N231U | BC856BMTF
History: RD9FE-V | 3DD13005_B3 | BSW75 | SML5001 | RT1N231U | BC856BMTF



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055