MMBT4403LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT4403LT1G  📄📄 

Маркировка: 2T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT4403LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT4403LT1G даташит

 ..1. Size:149K  onsemi
 mmbt4403lt1g.pdf pdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403L, SMMBT4403L Switching Transistor PNP Silicon Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http //onsemi.com http //onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit

 3.1. Size:151K  onsemi
 mmbt4403lt1.pdf pdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G Switching Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -40 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous I

 3.2. Size:431K  willas
 mmbt4403lt1.pdf pdf_icon

MMBT4403LT1G

FM120-M WILLAS MMBT4403LT1 THRU General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers PNP Silicon better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order t

 4.1. Size:149K  onsemi
 mmbt4403lt3g.pdf pdf_icon

MMBT4403LT1G

MMBT4403L, SMMBT4403L Switching Transistor PNP Silicon Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http //onsemi.com http //onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT4400, MMBT4401-G, MMBT4401GH, MMBT4401LT1G, MMBT4401M3, MMBT4401WT1G, MMBT4403-G, MMBT4403GH, 2SD669, MMBT4403M3, MMBT4403WT1G, MMBT489LT1G, MMBT5087LT1G, MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G, MMBT5210, MMBT5343-G