MMBT5087LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5087LT1G  📄📄 

Маркировка: 2Q

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5087LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5087LT1G даташит

 ..1. Size:227K  onsemi
 mmbt5087lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G Low Noise Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -50 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -50 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -3.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -50 mAdc THERMA

 0.1. Size:99K  onsemi
 nsvmmbt5087lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5087LT1G

MMBT5087L Low Noise Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring http //onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-Emitter V

 4.1. Size:227K  onsemi
 mmbt5087lt3g.pdf pdf_icon

MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G Low Noise Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -50 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -50 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -3.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -50 mAdc THERMA

 5.1. Size:229K  onsemi
 mmbt5087l.pdf pdf_icon

MMBT5087LT1G

MMBT5087L Low Noise Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-Emitter Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT4401M3, MMBT4401WT1G, MMBT4403-G, MMBT4403GH, MMBT4403LT1G, MMBT4403M3, MMBT4403WT1G, MMBT489LT1G, 2N2907, MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G, MMBT5210, MMBT5343-G, MMBT5343-L, MMBT5343-O, MMBT5343-Y, MMBT5401-G