MMBT5089LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMBT5089LT1G
Маркировка: 1R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MMBT5089LT1G
MMBT5089LT1G Datasheet (PDF)
mmbt5089lt1g.pdf
MMBT5088LT1G, SMMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G, SMMBT5089LT1G Low Noise Transistors http //onsemi.com NPN Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SOT-23 (TO-236) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique CASE 318 Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant
mmbt5088lt1 mmbt5089lt1g.pdf
MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G Low Noise Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc EMITTER MMBT5088 30 MMBT5089 25 Collector-Base Voltage VCBO Vdc 3 SOT-23 (TO-236) MMBT5088 35 MMBT5089 30 CASE 31
mmbt5088l mmbt5089l.pdf
MMBT5088L, MMBT5089L Low Noise Transistors NPN Silicon Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) CASE 318 MAXIMUM RATINGS STYLE 6 Rating Symbol Value Unit COL
mmbt5088 mmbt5089.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT5088LT1/D MMBT5088LT1 Low Noise Transistors * MMBT5089LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 5088LT1 5089LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 30 25 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 35 30 Vdc SOT 23 (TO 236A
Другие транзисторы... MMBT4403-G , MMBT4403GH , MMBT4403LT1G , MMBT4403M3 , MMBT4403WT1G , MMBT489LT1G , MMBT5087LT1G , MMBT5088LT1G , 2SC828 , MMBT5210 , MMBT5343-G , MMBT5343-L , MMBT5343-O , MMBT5343-Y , MMBT5401-G , MMBT5401GH , MMBT5401LT1G .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c








