Биполярный транзистор MMBT5089LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT5089LT1G
Маркировка: 1R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MMBT5089LT1G Datasheet (PDF)
mmbt5089lt1g.pdf

MMBT5088LT1G,SMMBT5088LT1G,MMBT5089LT1G,SMMBT5089LT1GLow Noise Transistorshttp://onsemi.comNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSOT-23 (TO-236) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueCASE 318Site and Control Change RequirementsSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant
mmbt5088lt1 mmbt5089lt1g.pdf

MMBT5088LT1G,MMBT5089LT1GLow Noise TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO VdcEMITTERMMBT5088 30MMBT5089 25Collector-Base Voltage VCBO Vdc3SOT-23 (TO-236)MMBT5088 35MMBT5089 30 CASE 31
mmbt5088l mmbt5089l.pdf

MMBT5088L, MMBT5089LLow Noise TransistorsNPN SiliconFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantSOT-23 (TO-236)CASE 318MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value UnitCOL
mmbt5088 mmbt5089.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT5088LT1/DMMBT5088LT1Low Noise Transistors*MMBT5089LT1COLLECTORNPN Silicon3*Motorola Preferred Device1BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 5088LT1 5089LT1 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 35 30 VdcSOT23 (TO236A
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MMBT3904LT1G | SRA2204UF | 2SD334A | 2SC3747R | KTA1271A | BC806-16 | ZXTN5551G
History: MMBT3904LT1G | SRA2204UF | 2SD334A | 2SC3747R | KTA1271A | BC806-16 | ZXTN5551G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c