MMBT5401LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401LT1G  📄📄 

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5401LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401LT1G даташит

 ..1. Size:125K  onsemi
 mmbt5401lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant* COLLECTOR MAXIMUM RAT

 ..2. Size:112K  onsemi
 mmbt5401lt1g smmbt5401lt1g mmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant COLLECTOR MAXIMUM RATI

 3.1. Size:115K  onsemi
 mmbt5401lt1-d.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Collector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc BASE Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc 2 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc EMITTER Collector Current - Continuous IC -500 mAdc S

 3.2. Size:325K  willas
 mmbt5401lt1.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1G

FM120-M WILLAS MMBT5401LT1 THRU High Voltage Transistor FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H FEATURE Low profile surface mounted application in order to o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5089LT1G, MMBT5210, MMBT5343-G, MMBT5343-L, MMBT5343-O, MMBT5343-Y, MMBT5401-G, MMBT5401GH, B647, MMBT5401WT1G, MMBT5550GH, MMBT5550LT1G, MMBT5551GH, MMBT5551LT1G, MMBT5551M3, MMBT589LT1G, MMBT5962