Биполярный транзистор MMBT5401WT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT5401WT1G
Маркировка: 4W
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для MMBT5401WT1G
MMBT5401WT1G Datasheet (PDF)
mmbt5401wt1g.pdf
MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo
nsvmmbt5401wt1g.pdf
MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo
mmbt5401w.pdf
MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo
mmbt5401w.pdf
MMBT5401W PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-323 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE AL Ideal for Medium Power Amplification and Switching 33 Also Available in Lead Free Version Top View C B Complementary to MMBT5551W 11 22K ECollector 3 DH JF GMARKING: K4M 1
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050