MMBT5401WT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401WT1G  📄📄 

Маркировка: 4W

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5401WT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401WT1G даташит

 ..1. Size:76K  onsemi
 mmbt5401wt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401W High Voltage Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector-Emitter Vo

 0.1. Size:76K  onsemi
 nsvmmbt5401wt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401W High Voltage Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector-Emitter Vo

 5.1. Size:73K  onsemi
 mmbt5401w.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401W High Voltage Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector-Emitter Vo

 5.2. Size:226K  secos
 mmbt5401w.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401W PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-323 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE A L Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 3 Also Available in Lead Free Version Top View C B Complementary to MMBT5551W 1 1 2 2 K E Collector 3 D H J F G MARKING K4M 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5210, MMBT5343-G, MMBT5343-L, MMBT5343-O, MMBT5343-Y, MMBT5401-G, MMBT5401GH, MMBT5401LT1G, A42, MMBT5550GH, MMBT5550LT1G, MMBT5551GH, MMBT5551LT1G, MMBT5551M3, MMBT589LT1G, MMBT5962, MMBT6427LT1G