Справочник транзисторов. MMBT5401WT1G

 

Биполярный транзистор MMBT5401WT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT5401WT1G
   Маркировка: 4W
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для MMBT5401WT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  onsemi
 mmbt5401wt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo

 0.1. Size:76K  onsemi
 nsvmmbt5401wt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo

 5.1. Size:73K  onsemi
 mmbt5401w.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo

 5.2. Size:226K  secos
 mmbt5401w.pdf pdf_icon

MMBT5401WT1G

MMBT5401W PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-323 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE AL Ideal for Medium Power Amplification and Switching 33 Also Available in Lead Free Version Top View C B Complementary to MMBT5551W 11 22K ECollector 3 DH JF GMARKING: K4M 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT5210 , MMBT5343-G , MMBT5343-L , MMBT5343-O , MMBT5343-Y , MMBT5401-G , MMBT5401GH , MMBT5401LT1G , 2N2907 , MMBT5550GH , MMBT5550LT1G , MMBT5551GH , MMBT5551LT1G , MMBT5551M3 , MMBT589LT1G , MMBT5962 , MMBT6427LT1G .

History: 2SD1667S | TIP110G | MMBTA70LT1

 

 
Back to Top

 


 
.