Справочник транзисторов. MMBT6429LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT6429LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6429LT1G
   Маркировка: M1L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT6429LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6429LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 mmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIM

 ..2. Size:82K  onsemi
 mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconwww.onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIMUM

 0.1. Size:125K  onsemi
 nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIM

 3.1. Size:194K  onsemi
 mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf pdf_icon

MMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol 6428LT1 6429LT1 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc3SOT-23 (TO-236)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT5551GH , MMBT5551LT1G , MMBT5551M3 , MMBT589LT1G , MMBT5962 , MMBT6427LT1G , MMBT6428LT1 , MMBT6428LT1G , AC125 , MMBT6515 , MMBT6517LT1G , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , MMBT8050D , MMBT8050LT1 .

History: 2N3637CSM | 2SC2908 | MJD117T4G

 

 
Back to Top

 


 
.