MMBT6517LT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBT6517LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT6517LT1G
   Маркировка: 1Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT6517LT1G

 

MMBT6517LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 0.1. Size:124K  onsemi
 nsvmmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 3.1. Size:156K  onsemi
 mmbt6517lt1.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517LT1G High Voltage Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 350 V Collector -Base Voltage VCBO 350 V 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 V Base Current IB 25 mA 1 Collector Current - C

 4.1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt3g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT5551M3 , MMBT589LT1G , MMBT5962 , MMBT6427LT1G , MMBT6428LT1 , MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , C1815 , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , MMBT8050D , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 .

 

 
Back to Top

 


 
.