MMBT6517LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT6517LT1G  📄📄 

Маркировка: 1Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT6517LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6517LT1G даташит

 ..1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 0.1. Size:124K  onsemi
 nsvmmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 3.1. Size:156K  onsemi
 mmbt6517lt1.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517LT1G High Voltage Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 350 V Collector -Base Voltage VCBO 350 V 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 V Base Current IB 25 mA 1 Collector Current - C

 4.1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt3g.pdf pdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5551M3, MMBT589LT1G, MMBT5962, MMBT6427LT1G, MMBT6428LT1, MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, MMBT6515, C1815, MMBT6520LT1G, MMBT6521LT1G, MMBT720, MMBT8050, MMBT8050D, MMBT8050LT1, MMBT8099LT1G, MMBT8550