Справочник транзисторов. MMBT6517LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT6517LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6517LT1G
   Маркировка: 1Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT6517LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6517LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  onsemi
mmbt6517lt1g.pdfpdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC

 0.1. Size:124K  onsemi
nsvmmbt6517lt1g.pdfpdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC

 3.1. Size:156K  onsemi
mmbt6517lt1.pdfpdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517LT1GHigh Voltage TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR31BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 2EMITTERCollector - Emitter Voltage VCEO 350 VCollector -Base Voltage VCBO 350 V3Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 VBase Current IB 25 mA1Collector Current - C

 4.1. Size:124K  onsemi
mmbt6517lt3g.pdfpdf_icon

MMBT6517LT1G

MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC

Другие транзисторы... MMBT5551M3 , MMBT589LT1G , MMBT5962 , MMBT6427LT1G , MMBT6428LT1 , MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , 2N2222 , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , MMBT8050D , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 .

History: 2SC9018F | KTA1505GR

 

 
Back to Top

 


 
.