Справочник транзисторов. MMBT6520LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT6520LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6520LT1G
   Маркировка: 2Z
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT6520LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6520LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  onsemi
 mmbt6520lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6520LT1G

MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitC

 0.1. Size:123K  onsemi
 nsvmmbt6520lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6520LT1G

MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitC

 3.1. Size:116K  onsemi
 mmbt6520lt1-d.pdf pdf_icon

MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1GHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -350 VdcCollector-Base Voltage VCBO -350 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcBase Current IB -250 mACollector Current -

 5.1. Size:196K  onsemi
 mmbt6520l nsvmmbt6520l.pdf pdf_icon

MMBT6520LT1G

MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitColl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT589LT1G , MMBT5962 , MMBT6427LT1G , MMBT6428LT1 , MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , MMBT6517LT1G , TIP41 , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , MMBT8050D , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 .

History: BC184L | ASY80 | BFV50 | TI814 | 2SD1987 | KSC184

 

 
Back to Top

 


 
.