Биполярный транзистор MMBT6520LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT6520LT1G
Маркировка: 2Z
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MMBT6520LT1G
MMBT6520LT1G Datasheet (PDF)
mmbt6520lt1g.pdf
MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitC
nsvmmbt6520lt1g.pdf
MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitC
mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1GHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -350 VdcCollector-Base Voltage VCBO -350 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcBase Current IB -250 mACollector Current -
mmbt6520l nsvmmbt6520l.pdf
MMBT6520L,NSVMMBT6520LHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1BASECompliant2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitColl
mmbt6520l.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors MMBT6520LDESCRIPTIONCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -0.3V(Max.)@I = -0.01ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -350V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
