MMBT8550LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT8550LT1  📄📄 

Маркировка: B6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT8550LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8550LT1 даташит

 ..1. Size:131K  wej
 mmbt8550lt1.pdf pdf_icon

MMBT8550LT1

RoHS MMBT8550LT1 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-23 3 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE 1 RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 2 Complement to MMPT8050LT1 1. 1.BASE Collector-current Ic=-500mA 2.EMITTER High Total Power Dissipation Pc=225mW 2.4 3.COLLECTOR 1.3 Unit mm o ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Symbol Rating Unit Characteristic Collector-Base Voltage

 6.1. Size:814K  semtech
 mmbt8550c mmbt8550d.pdf pdf_icon

MMBT8550LT1

MMBT8550(1.5A) PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. As complementary type the NPN transistor MMBT8050 (1.5A) is recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Bas

 6.2. Size:332K  topdiode
 mmbt8550.pdf pdf_icon

MMBT8550LT1

Tel/Fax +86 (0)769 82827329 Skype topdiode Email info@topdiode.com Website www.topdiode.com Tel/Fax +86 (0)769 82827329 Skype topdiode Email info@topdiode.com Website www.topdiode.com

 6.3. Size:449K  agertech
 mmbt8550c mmbt8550d.pdf pdf_icon

MMBT8550LT1

MMBT8550C/D Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and low power output stages As complementary type of the NPN transistor MMBT8050C/D is recommended Absolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 25 V Emitter Base V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT6520LT1G, MMBT6521LT1G, MMBT720, MMBT8050, MMBT8050D, MMBT8050LT1, MMBT8099LT1G, MMBT8550, TIP122, MMBT9012LT1, MMBT9013LT1, MMBT9014LT1, MMBT9015LT1, MMBT9018LT1, MMBT918LT1G, MMBT945-H, MMBT945-L