Биполярный транзистор MMBT918LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT918LT1G
Маркировка: M3B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для MMBT918LT1G
MMBT918LT1G Datasheet (PDF)
mmbt918lt1g.pdf

MMBT918LT1GVHF/UHF TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSwww.onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 15 VdcCollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc 2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current - Continuous IC 50 mAdc3THERMAL CHARAC
mmbt918lt1-d.pdf

MMBT918LT1GVHF/UHF TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 15 VdcCollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current - Continuous IC 50 mAdcTHERMAL CHARA
mmbt918l.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT918LT1/DVHF/UHF TransistorMMBT918LT1NPN SiliconCOLLECTOR31BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current Co
pn918 mmbt918.pdf

PN918 MMBT918CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 3BNPN RF TransistorThis device is designed for use as RF amplifiers, oscillators andmultipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.Sourced from Process 43.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage 30 V
Другие транзисторы... MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , MMBT9014LT1 , MMBT9015LT1 , MMBT9018LT1 , TIP122 , MMBT945-H , MMBT945-L , MMBTA05LT1G , MMBTA05W , MMBTA06LT1G , MMBTA06W , MMBTA06WT1G , MMBTA10 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450