Справочник транзисторов. MMBT918LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT918LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT918LT1G
   Маркировка: M3B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT918LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT918LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  onsemi
mmbt918lt1g.pdfpdf_icon

MMBT918LT1G

MMBT918LT1GVHF/UHF TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSwww.onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 15 VdcCollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc 2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current - Continuous IC 50 mAdc3THERMAL CHARAC

 4.1. Size:113K  onsemi
mmbt918lt1-d.pdfpdf_icon

MMBT918LT1G

MMBT918LT1GVHF/UHF TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 15 VdcCollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current - Continuous IC 50 mAdcTHERMAL CHARA

 6.1. Size:97K  motorola
mmbt918l.pdfpdf_icon

MMBT918LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT918LT1/DVHF/UHF TransistorMMBT918LT1NPN SiliconCOLLECTOR31BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current Co

 7.1. Size:748K  fairchild semi
pn918 mmbt918.pdfpdf_icon

MMBT918LT1G

PN918 MMBT918CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 3BNPN RF TransistorThis device is designed for use as RF amplifiers, oscillators andmultipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.Sourced from Process 43.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage 30 V

Другие транзисторы... MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , MMBT9014LT1 , MMBT9015LT1 , MMBT9018LT1 , TIP122 , MMBT945-H , MMBT945-L , MMBTA05LT1G , MMBTA05W , MMBTA06LT1G , MMBTA06W , MMBTA06WT1G , MMBTA10 .

 

 
Back to Top

 


 
.