MMBTA92LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTA92LT1G  📄📄 

Маркировка: 2x

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTA92LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA92LT1G даташит

 ..1. Size:107K  onsemi
 mmbta92lt1g.pdf pdf_icon

MMBTA92LT1G

MMBTA92L, SMMBTA92L, MMBTA93L High Voltage Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol 92 93 Unit EMITT

 4.1. Size:105K  onsemi
 mmbta92lt1 mmbta93lt1.pdf pdf_icon

MMBTA92LT1G

MMBTA92LT1G, MMBTA93LT1G High Voltage Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 92 93 Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -200 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -300 -200 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 -5.0 Vdc Collector Curren

 4.2. Size:411K  willas
 mmbta92lt1.pdf pdf_icon

MMBTA92LT1G

FM120-M WILLAS THRU MMBTA9xLT1 FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V High Voltage Transistor SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize board

 6.1. Size:145K  motorola
 mmbta92l mmbta93.pdf pdf_icon

MMBTA92LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA92LT1/D High Voltage Transistors * MMBTA92LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 MMBTA93LT1 *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol MMBTA92 MMBTA93 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 300 200 Vdc Collector Base Voltage VCBO 300 200 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTA42LT1G, MMBTA55LT1G, MMBTA56LT1G, MMBTA56WT1G, MMBTA63LT1G, MMBTA64LT1G, MMBTA70LT1G, MMBTA92-G, BC546, MMBTH10-4LT1G, MMBTH10LT1G, MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, MMDT8150