Справочник транзисторов. MMBTH10-4LT1G

 

Биполярный транзистор MMBTH10-4LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTH10-4LT1G
   Маркировка: 3E4.
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBTH10-4LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH10-4LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
 mmbth10-4lt1g.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G,NSVMMBTH10LT1G,MMBTH10LT3G,MMBTH10-4LT1GVHF/UHF Transistorhttp://onsemi.comNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCASE 318Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant*

 2.1. Size:123K  onsemi
 mmbth10lt1 mmbth10-4lt1.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G,MMBTH10-4LT1GVHF/UHF TransistorNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO 25 VdcEMITTERCollector-Base Voltage VCBO 30 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 Vdc3THERMAL CHARACTERISTICS1Character

 4.1. Size:91K  onsemi
 mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

 6.1. Size:151K  onsemi
 mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBTA55LT1G , MMBTA56LT1G , MMBTA56WT1G , MMBTA63LT1G , MMBTA64LT1G , MMBTA70LT1G , MMBTA92-G , MMBTA92LT1G , 2SC1815 , MMBTH10LT1G , MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , MMDTA06 .

History: 3DD13002_B1-7 | KTA1505GR | 2SD1618S | 2SD1667Q | 2SC9018F | MMBT6517LT1G | KSB13003HR

 

 
Back to Top

 


 
.