MMBTH10-4LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTH10-4LT1G  📄📄 

Маркировка: 3E4.

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTH10-4LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH10-4LT1G даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
 mmbth10-4lt1g.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G, MMBTH10LT3G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor http //onsemi.com NPN Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring CASE 318 Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant*

 2.1. Size:123K  onsemi
 mmbth10lt1 mmbth10-4lt1.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 25 Vdc EMITTER Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 Vdc 3 THERMAL CHARACTERISTICS 1 Character

 4.1. Size:91K  onsemi
 mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

 6.1. Size:151K  onsemi
 mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdf pdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTA55LT1G, MMBTA56LT1G, MMBTA56WT1G, MMBTA63LT1G, MMBTA64LT1G, MMBTA70LT1G, MMBTA92-G, MMBTA92LT1G, TIP35C, MMBTH10LT1G, MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, MMDT8150, MMDTA06