MMBTH10-4LT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBTH10-4LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBTH10-4LT1G
   Маркировка: 3E4.
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.004 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBTH10-4LT1G

 

MMBTH10-4LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
mmbth10-4lt1g.pdfpdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G, MMBTH10LT3G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor http //onsemi.com NPN Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring CASE 318 Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant*

 2.1. Size:123K  onsemi
mmbth10lt1 mmbth10-4lt1.pdfpdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 25 Vdc EMITTER Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 Vdc 3 THERMAL CHARACTERISTICS 1 Character

 4.1. Size:91K  onsemi
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdfpdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

 6.1. Size:151K  onsemi
mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

Другие транзисторы... MMBTA55LT1G , MMBTA56LT1G , MMBTA56WT1G , MMBTA63LT1G , MMBTA64LT1G , MMBTA70LT1G , MMBTA92-G , MMBTA92LT1G , TIP35C , MMBTH10LT1G , MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , MMDTA06 .

History: KSR1113

 

 
Back to Top

 


 
.