MMDTA06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMDTA06  📄📄 

Маркировка: A06

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-26

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMDTA06

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDTA06 даташит

 ..1. Size:218K  diodes
 mmdta06.pdf pdf_icon

MMDTA06

MMDTA06 80V DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features & Benefits Mechanical Data BVCEO > 80V Case SOT26 Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. ICM = 1A Peak Pulse Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 General purpose NPN transistors ideally suited for low power Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 9.1. Size:103K  diodes
 mmdta42.pdf pdf_icon

MMDTA06

MMDTA42 DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Ideal for Medium Power Amplification and Switching Dim Min Max Typ Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) A 0.35 0.50 0.38 "Green" Device, Note 4 and 5 B C B 1.50 1.70 1.60 Mechanical Data C 2.70 3.00 2.80 Case SOT-26 D 0.95 Case Ma

Другие транзисторы: MMBTH10-4LT1G, MMBTH10LT1G, MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, MMDT8150, 2SC2655, MMJD2955, MMJD3055, MMJT350T1G, MMS8050-H, MMS8050-L, MMS8550-H, MMS8550-L, MMS9012-H