Справочник транзисторов. MMDTA06

 

Биполярный транзистор MMDTA06 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMDTA06
   Маркировка: A06
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-26
 

 Аналог (замена) для MMDTA06

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDTA06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  diodes
 mmdta06.pdf pdf_icon

MMDTA06

MMDTA0680V DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features & Benefits Mechanical Data BVCEO > 80V Case: SOT26 Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. ICM = 1A Peak Pulse Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 General purpose NPN transistors ideally suited for low power Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 9.1. Size:103K  diodes
 mmdta42.pdf pdf_icon

MMDTA06

MMDTA42 DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Ideal for Medium Power Amplification and Switching Dim Min Max Typ Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) A 0.35 0.50 0.38 "Green" Device, Note 4 and 5 B CB 1.50 1.70 1.60 Mechanical Data C 2.70 3.00 2.80 Case: SOT-26 D 0.95 Case Ma

Другие транзисторы... MMBTH10-4LT1G , MMBTH10LT1G , MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , 2SC2625 , MMJD2955 , MMJD3055 , MMJT350T1G , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L , MMS9012-H .

History: BC327-40 | BC138 | T2119 | BUT131A

 

 
Back to Top

 


 
.