MMT8050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMT8050  📄📄 

Маркировка: Y1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMT8050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMT8050 даташит

 ..1. Size:207K  gsme
 mmt8050.pdf pdf_icon

MMT8050

Другие транзисторы: MMSS8050W-J, MMSS8050W-L, MMSS8550-H, MMSS8550-L, MMSS8550W-H, MMSS8550W-J, MMSS8550W-L, MMST2222A-G, 2N2907, MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T