BCR116S - описание и поиск аналогов

 

BCR116S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR116S

Маркировка: WGs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для BCR116S

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR116S даташит

 ..1. Size:865K  infineon
bcr116s.pdfpdf_icon

BCR116S

BCR116... NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7 k , R2=47 k ) BCR116S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR116S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified accordin

 ..2. Size:867K  infineon
bcr116 bcr116s bcr116w.pdfpdf_icon

BCR116S

BCR116... NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7 k , R2=47 k ) BCR116S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR116S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified accordin

 8.1. Size:35K  siemens
bcr116.pdfpdf_icon

BCR116S

BCR 116 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 116 WGs Q62702-C2337 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

 8.2. Size:34K  siemens
bcr116w.pdfpdf_icon

BCR116S

BCR 116W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 116W WGs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-ba

Другие транзисторы... S2SC4617G , S-L2SA2030M3T5G , S-L2SC3837T1G , UD2195 , UMF21N , UMF5N , BCR108F , BCR112W , 2SC1815 , BCR119F , BCR119W , BCR129 , BCR129S , BCR129W , BCR148F , BCR169W , BCR183U .

History: RTE13LFM

 

 

 


 
↑ Back to Top
.