BCR119F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCR119F  📄📄 

Маркировка: WKs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TSFP-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCR119F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR119F даташит

 ..1. Size:250K  infineon
 bcr119f.pdf pdf_icon

BCR119F

BCR119... NPN silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=4.7 k ) BCR119S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR119S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 BCR

 8.1. Size:34K  siemens
 bcr119.pdf pdf_icon

BCR119F

BCR 119 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 119 WKs Q62702-C2255 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEB

 8.2. Size:34K  siemens
 bcr119w.pdf pdf_icon

BCR119F

BCR 119W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 119W WKs Q62702-C2285 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage

 8.3. Size:42K  siemens
 bcr119s.pdf pdf_icon

BCR119F

BCR 119S NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 119S WKs Q62702-C2415 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S-L2SA2030M3T5G, S-L2SC3837T1G, UD2195, UMF21N, UMF5N, BCR108F, BCR112W, BCR116S, BD335, BCR119W, BCR129, BCR129S, BCR129W, BCR148F, BCR169W, BCR183U, BCR183W