Биполярный транзистор BCR523U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR523U
Маркировка: WGs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SC74
BCR523U Datasheet (PDF)
bcr523u.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr523 bcr523u.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr523.pdf
BCR 523NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=1k,R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 523 XGs C62702-C2487 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage VEBO 5
bcr523series.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr521.pdf
BCR 521NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=1k, R2=1k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 521 XVs Q62702-C2355 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base vol
bcr521.pdf
BCR521NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 1 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR521 XVs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VCBO
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050