BCR523U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCR523U  📄📄 

Маркировка: WGs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCR523U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR523U даташит

 ..1. Size:845K  infineon
 bcr523u.pdf pdf_icon

BCR523U

BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2

 ..2. Size:847K  infineon
 bcr523 bcr523u.pdf pdf_icon

BCR523U

BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2

 8.1. Size:35K  siemens
 bcr523.pdf pdf_icon

BCR523U

BCR 523 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=1k ,R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 523 XGs C62702-C2487 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5

 8.2. Size:847K  infineon
 bcr523series.pdf pdf_icon

BCR523U

BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR148F, BCR169W, BCR183U, BCR183W, BCR185F, BCR191W, BCR192W, BCR196F, 2SC2625, CHDTA113TKGP, CHDTA113TUGP, CHDTA113ZEGP, CHDTA113ZKGP, CHDTA113ZUGP, CHDTA114EEGP, CHDTA114EKGP, CHDTA114EUGP