CHDTC115EUGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC115EUGP

Маркировка: EUF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для CHDTC115EUGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC115EUGP даташит

 ..1. Size:103K  chenmko
 chdtc115eugp.pdf pdf_icon

CHDTC115EUGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 20 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

 5.1. Size:70K  chenmko
 chdtc115ekgp.pdf pdf_icon

CHDTC115EUGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 20 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 5.2. Size:54K  chenmko
 chdtc115eegp.pdf pdf_icon

CHDTC115EUGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115EEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 20 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

 6.1. Size:51K  chenmko
 chdtc115tegp.pdf pdf_icon

CHDTC115EUGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115TEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHDTC114WEGP, CHDTC114WKGP, CHDTC114WUGP, CHDTC114YEGP, CHDTC114YKGP, CHDTC114YUGP, CHDTC115EEGP, CHDTC115EKGP, 2SC2625, CHDTC115GKGP, CHDTC115GUGP, CHDTC115TEGP, CHDTC115TKGP, CHDTC115TUGP, CHDTC123EEGP, CHDTC123EKGP, CHDTC123EUGP