CHDTC363TKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC363TKGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 6.8 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTC363TKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC363TKGP даташит

 ..1. Size:92K  chenmko
chdtc363tkgp.pdfpdf_icon

CHDTC363TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA

 6.1. Size:139K  chenmko
chdtc363ekgp.pdfpdf_icon

CHDTC363TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.2. Size:138K  chenmko
chdtc363eugp.pdfpdf_icon

CHDTC363TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 8.1. Size:90K  chenmko
chdtc314tkgp.pdfpdf_icon

CHDTC363TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC314TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA

Другие транзисторы: CHDTC144WKGP, CHDTC144WUGP, CHDTC314TKGP, CHDTC314TUGP, CHDTC323TKGP, CHDTC323TUGP, CHDTC363EKGP, CHDTC363EUGP, S8050, CHDTC614TKGP, CHDTC614TUGP, CHDTC623TKGP, CHEMA11GP, CHEMA2GP, CHEMA3GP, CHEMA4GP, CHEMA5GP