Справочник транзисторов. CHDTD123EKGP

 

Биполярный транзистор CHDTD123EKGP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CHDTD123EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 39
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CHDTD123EKGP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD123EKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  chenmko
 chdtd123ekgp.pdf pdf_icon

CHDTD123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 6.1. Size:103K  chenmko
 chdtd123tkgp.pdf pdf_icon

CHDTD123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123TKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.2. Size:138K  chenmko
 chdtd123ykgp.pdf pdf_icon

CHDTD123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123YKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 7.1. Size:62K  chenmko
 chdtd122jkgp.pdf pdf_icon

CHDTD123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD122JKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... CHDTC663EKGP , CHDTC663EUGP , CHDTD113EKGP , CHDTD113ZKGP , CHDTD113ZUGP , CHDTD114EKGP , CHDTD114GKGP , CHDTD122JKGP , MJE340 , CHDTD123TKGP , CHDTD123YKGP , CHDTD133HKGP , CHDTD143TKGP , CHEMB10GP , CHEMB11GP , CHEMB2GP , CHEMB3GP .

History: T2187 | L8550RLT1G | 2SC3824

 

 
Back to Top

 


 
.