Биполярный транзистор CHDTD123EKGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CHDTD123EKGP
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 39
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CHDTD123EKGP
CHDTD123EKGP Datasheet (PDF)
chdtd123ekgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi
chdtd123tkgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123TKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
chdtd123ykgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123YKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi
chdtd122jkgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD122JKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
