CHDTD123YKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTD123YKGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD123YKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD123YKGP даташит

 ..1. Size:138K  chenmko
 chdtd123ykgp.pdf pdf_icon

CHDTD123YKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123YKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.1. Size:98K  chenmko
 chdtd123ekgp.pdf pdf_icon

CHDTD123YKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.2. Size:103K  chenmko
 chdtd123tkgp.pdf pdf_icon

CHDTD123YKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:62K  chenmko
 chdtd122jkgp.pdf pdf_icon

CHDTD123YKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD122JKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHDTD113EKGP, CHDTD113ZKGP, CHDTD113ZUGP, CHDTD114EKGP, CHDTD114GKGP, CHDTD122JKGP, CHDTD123EKGP, CHDTD123TKGP, 2SC1815, CHDTD133HKGP, CHDTD143TKGP, CHEMB10GP, CHEMB11GP, CHEMB2GP, CHEMB3GP, CHEMB4GP, CHEMB6GP