DCX100NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DCX100NS  📄📄 

Маркировка: C01

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT563

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DCX100NS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DCX100NS даташит

 ..1. Size:324K  diodes
 dcx100ns.pdf pdf_icon

DCX100NS

DCX100NS 100mA DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS Please click here to visit our online spice models database. General Descriptions DCX100NS is best suited for applications where the load needs to be turned on and off using control circuits like micro-controllers, comparators etc. particularly at a point of load. It features a discrete PNP pass transistor which can support continuou

Другие транзисторы: DDTB113EC, DDTB113EU, DDTB113ZC, DDTB113ZU, DDTB114EC, DDTB114EU, DDTB114GC, DDTB114GU, A940, DCX114EH, DCX114EK, DCX114EU, DCX114TH, DCX114TK, DCX114TU, DCX114YH, DCX114YK