Биполярный транзистор DMG26401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMG26401
Маркировка: E6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: MINI6-G4-B
DMG26401 Datasheet (PDF)
dmg26401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG26401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free package
dmg26402.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG26402Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free package
dmg26405.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG26405Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, r
dmg26406.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG26406Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, r
dmg26404.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG26404Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free package
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050