DRA2114E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA2114E

Маркировка: LB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: MINI3-G3-B

 Аналоги (замена) для DRA2114E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA2114E даташит

 ..1. Size:353K  panasonic
 dra2114e.pdf pdf_icon

DRA2114E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2114E Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini3-G3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Base

 7.1. Size:353K  panasonic
 dra2114y.pdf pdf_icon

DRA2114E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2114Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2114Y Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini3-G3-B Pin Name Eco-friendly Halogen-free package 1 Base

 7.2. Size:352K  panasonic
 dra2114t.pdf pdf_icon

DRA2114E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2114T Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

 8.1. Size:354K  panasonic
 dra2115t.pdf pdf_icon

DRA2114E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2115T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2115T Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMG96406, DMG9640M, DMG9640N, DMG9640T, DMG964H1, DMG964H3, DMG964H5, DRA2113Z, A940, DRA2114T, DRA2114Y, DRA2115E, DRA2115G, DRA2115T, DRA2123E, DRA2123J, DRA2123Y