DRA2144V datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DRA2144V
Маркировка: LJ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: MINI3-G3-B
Аналоги (замена) для DRA2144V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DRA2144V даташит
dra2144t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2144T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2144T Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c
Другие транзисторы: DRA2124X, DRA2143E, DRA2143T, DRA2143X, DRA2143Y, DRA2143Z, DRA2144E, DRA2144T, A1013, DRA2144W, DRA2152Z, DRA2514E, DRA2522J, DRA2523E, DRA2523Y, DRA2533Q, DRA2543E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837




