DRA4123J datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA4123J

Маркировка: L4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: NS-B2-B-B

 Аналоги (замена) для DRA4123J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA4123J даташит

 ..1. Size:223K  panasonic
 dra4123j.pdf pdf_icon

DRA4123J

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4123J Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4123J DRA2123J in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free

 7.1. Size:223K  panasonic
 dra4123y.pdf pdf_icon

DRA4123J

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4123Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4123Y DRA2123Y in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

 8.1. Size:221K  panasonic
 dra4124t.pdf pdf_icon

DRA4123J

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4124T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4124T DRA2124T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat

 8.2. Size:348K  panasonic
 dra4124e.pdf pdf_icon

DRA4123J

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4124E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4124E DRA2124E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA3A43T, DRA3A43X, DRA3A43Z, DRA3A44E, DRA4113Z, DRA4114E, DRA4114T, DRA4114Y, BC548, DRA4123Y, DRA4124E, DRA4124T, DRA4143E, DRA4143T, DRA4143X, DRA4143Z, DRA4144E