Биполярный транзистор DRA4523Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DRA4523Y
Маркировка: SK
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: NS-B2-B
DRA4523Y Datasheet (PDF)
dra4523y.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4523YSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4523YDRA2523Y in NS through hole type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction Code Eco-friendly Halogen-free package NS-B2-BPackage dimension clicks here. Click! Pac
dra4523e.pdf
DRA4523ETotal pages pageTentativeDRA4523ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : SHPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
dra4543e.pdf
DRA4543ETotal pages pageTentativeDRA4543ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : UYPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
dra4514e.pdf
DRA4514ETotal pages pageTentativeDRA4514ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : UZPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050