DRA5113Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA5113Z

Маркировка: L1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DRA5113Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA5113Z даташит

 ..1. Size:414K  panasonic
 dra5113z.pdf pdf_icon

DRA5113Z

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5113Z DRA2113Z in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:418K  panasonic
 dra5115t.pdf pdf_icon

DRA5113Z

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5115T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5115T DRA2115T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

 8.2. Size:414K  panasonic
 dra5114t.pdf pdf_icon

DRA5113Z

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5114T DRA2114T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

 8.3. Size:414K  panasonic
 dra5114e.pdf pdf_icon

DRA5113Z

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5114E DRA2114E in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA4144T, DRA4144V, DRA4144W, DRA4152Z, DRA4514E, DRA4523E, DRA4523Y, DRA4543E, TIP31C, DRA5114E, DRA5114T, DRA5114Y, DRA5115E, DRA5115G, DRA5115T, DRA5123E, DRA5123J