DRA5115E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA5115E

Маркировка: LN

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DRA5115E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA5115E даташит

 ..1. Size:420K  panasonic
 dra5115e.pdf pdf_icon

DRA5115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5115E DRA2115E in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 7.1. Size:418K  panasonic
 dra5115t.pdf pdf_icon

DRA5115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5115T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5115T DRA2115T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

 7.2. Size:413K  panasonic
 dra5115g.pdf pdf_icon

DRA5115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5115G Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5115G DRA2115G in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:414K  panasonic
 dra5114t.pdf pdf_icon

DRA5115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5114T DRA2114T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA4514E, DRA4523E, DRA4523Y, DRA4543E, DRA5113Z, DRA5114E, DRA5114T, DRA5114Y, 2SD1047, DRA5115G, DRA5115T, DRA5123E, DRA5123J, DRA5123Y, DRA5124E, DRA5124T, DRA5124X