DRAF115E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRAF115E

Маркировка: LN

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: ML3-N4-B

 Аналоги (замена) для DRAF115E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRAF115E даташит

 ..1. Size:225K  panasonic
draf115e.pdfpdf_icon

DRAF115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF115E DRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Packa

 8.1. Size:225K  panasonic
draf113z.pdfpdf_icon

DRAF115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF113Z DRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

 8.2. Size:223K  panasonic
draf114t.pdfpdf_icon

DRAF115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF114T DRA3114T in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of

 8.3. Size:224K  panasonic
draf114e.pdfpdf_icon

DRAF115E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF114E DRA3114E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

Другие транзисторы: DRA9A43X, DRA9A43Z, DRA9A44E, DRA9A44W, DRAF113Z, DRAF114E, DRAF114T, DRAF114Y, C945, DRAF123J, DRAF123Y, DRAF124E, DRAF124T, DRAF124X, DRAF143E, DRAQA24X, DRAQA44T