Справочник транзисторов. DRC3115G

 

Биполярный транзистор DRC3115G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DRC3115G
   Маркировка: NX
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SSSMINI3-F2-B
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DRC3115G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  panasonic
drc3115g.pdfpdf_icon

DRC3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC3115GSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA3115GDRC9115G in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Haloge

 7.1. Size:414K  panasonic
drc3115t.pdfpdf_icon

DRC3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC3115TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA3115TDRC9115T in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturi

 7.2. Size:418K  panasonic
drc3115e.pdfpdf_icon

DRC3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC3115ESilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA3115EDRC9115E in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Haloge

 8.1. Size:415K  panasonic
drc3114t.pdfpdf_icon

DRC3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC3114TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA3114TDRC9114T in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturiza

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: FT34A | 2SD995 | AUY19-3 | JA100 | 2SC1103 | DMG56404 | MMDT3946LP4

 

 
Back to Top

 


 
.