Биполярный транзистор DRC5614T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DRC5614T
Маркировка: VT
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SMINI3-F2-B
DRC5614T Datasheet (PDF)
drc5614t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC5614TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits / mutingDRC2614T in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1: BaseEmbossed type (Therm
drc5643t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC5643TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits / mutingDRC2643T in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1: Base 2: EmitterEmbossed type (The
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
