DTA114EMFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114EMFHA

Маркировка: 14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-105AA

 Аналоги (замена) для DTA114EMFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114EMFHA даташит

 ..1. Size:3896K  rohm
dta114eefra dta114ekafra dta114emfha dta114euafra.pdfpdf_icon

DTA114EMFHA

DTA114E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114EM DTA114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 6.1. Size:859K  nxp
pdta114ee pdta114em pdta114et pdta114eu.pdfpdf_icon

DTA114EMFHA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.2. Size:156K  onsemi
nsvdta114em3t5g.pdfpdf_icon

DTA114EMFHA

MUN2111, MMUN2111L, MUN5111, DTA114EE, DTA114EM3, NSBA114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

 6.3. Size:156K  onsemi
dta114em3.pdfpdf_icon

DTA114EMFHA

MUN2111, MMUN2111L, MUN5111, DTA114EE, DTA114EM3, NSBA114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

Другие транзисторы: DTA113ZVA, DTA114EA3, DTA114EB3, DTA114EEFRA, DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, BC557, DTA114EN3, DTA114ES3, DTA114EUAFRA, DTA114GUA, DTA114TEB, DTA114TEFRA, DTA114TET1G, DTA114TKAFRA