DTA114ES3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114ES3

Маркировка: 6A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTA114ES3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114ES3 даташит

 ..1. Size:161K  cystek
 dta114es3.pdf pdf_icon

DTA114ES3

Spec. No. C252S3 Issued Date 2003.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTA114ES3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complet

 6.1. Size:58K  motorola
 pdta114es 2.pdf pdf_icon

DTA114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

 6.2. Size:58K  philips
 pdta114es 2.pdf pdf_icon

DTA114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

 6.3. Size:60K  rohm
 dta114eka dta114esa dta114eua.pdf pdf_icon

DTA114ES3

DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA Transistors DTA114EKA / DTA114ESA -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114EKA / DTA114ESA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTA114EB3, DTA114EEFRA, DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, DTA114EN3, 13009, DTA114EUAFRA, DTA114GUA, DTA114TEB, DTA114TEFRA, DTA114TET1G, DTA114TKAFRA, DTA114TM3, DTA114TM3T5G