DTA114TEB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114TEB

Маркировка: 94

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для DTA114TEB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114TEB даташит

 ..1. Size:1464K  rohm
dta114teb dta114tefra dta114tkafra dta114tmfha dta114tuafra dta114tub.pdfpdf_icon

DTA114TEB

DTA114T series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCEO -50V IC -100mA R1 10k DTA114TM DTA114TEB (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114TE DTA114TUB

 6.1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

DTA114TEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:52K  motorola
pdta114te 2.pdfpdf_icon

DTA114TEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.3. Size:52K  philips
pdta114te 2.pdfpdf_icon

DTA114TEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

Другие транзисторы: DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, DTA114EN3, DTA114ES3, DTA114EUAFRA, DTA114GUA, TIP31C, DTA114TEFRA, DTA114TET1G, DTA114TKAFRA, DTA114TM3, DTA114TM3T5G, DTA114TMFHA, DTA114TN3, DTA114TUAFRA