DTB114EN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTB114EN3

Маркировка: F14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DTB114EN3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB114EN3 даташит

 ..1. Size:244K  cystek
dtb114en3.pdfpdf_icon

DTB114EN3

Spec. No. C277N3 Issued Date 2005.11.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTB114EN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

 7.1. Size:26K  motorola
pdtb114et p09 sot23.pdfpdf_icon

DTB114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

 7.2. Size:49K  motorola
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

 7.3. Size:49K  philips
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

Другие транзисторы: DTA144TUAFRA, DTA144WA3, DTA144WET1G, DTA144WM3, DTA144WM3T5G, DTA144WN3S, DTB113ZCA, DTB113ZS, D880, DTB114GK, DTB114TK, DTB123TK, DTB143TK, DTC013ZEB, DTC013ZM, DTC013ZUB, DTC014TEB