DTB123TK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTB123TK

Маркировка: F92

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для DTB123TK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB123TK даташит

 ..1. Size:50K  rohm
dtb123tk.pdfpdf_icon

DTB123TK

Transistors Digital transistors (built in resistor) DTB123TK FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow positive biasing of the input. They also have th

 0.1. Size:113K  chenmko
chdtb123tkgp.pdfpdf_icon

DTB123TK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123TKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:109K  nxp
pdtb123t.pdfpdf_icon

DTB123TK

PDTB123T series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 03 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB123TK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123TK PDTB123TS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDTD123TS

 7.2. Size:165K  diodes
ddtb123tu.pdfpdf_icon

DTB123TK

DDTB (xxxx) U DDTB (xxxx) U PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTD) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) B C C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nom

Другие транзисторы: DTA144WM3, DTA144WM3T5G, DTA144WN3S, DTB113ZCA, DTB113ZS, DTB114EN3, DTB114GK, DTB114TK, 2N4401, DTB143TK, DTC013ZEB, DTC013ZM, DTC013ZUB, DTC014TEB, DTC014TM, DTC014TUB, DTC015TEB