Справочник транзисторов. DTC114ES3

 

Биполярный транзистор DTC114ES3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC114ES3
   Маркировка: 8A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для DTC114ES3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114ES3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  cystek
dtc114es3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

Spec. No. : C351S3 Issued Date : 2002.06.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.10 Page No. : 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114ES3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 6.1. Size:57K  motorola
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe

 6.2. Size:57K  philips
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe

 6.3. Size:118K  onsemi
dtc114eseria 8a-m sot416.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DTC114EET1 SERIESBias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistorhttp://onsemi.comTransistor) contains a single transistor with a monolithic bias networkconsisting of two resistors; a series ba

Другие транзисторы... DTC114EC3 , DTC114EEFRA , DTC114EET1G , DTC114EKAFRA , DTC114EM3 , DTC114EM3T5G , DTC114EMFHA , DTC114EN3 , C5198 , DTC114EUAFRA , DTC114EY3 , DTC114TEB , DTC114TEFRA , DTC114TET1G , DTC114TKAFRA , DTC114TM3 , DTC114TM3T5G .

 

 
Back to Top

 


 
.