DTC114ES3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC114ES3

Маркировка: 8A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTC114ES3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114ES3 даташит

 ..1. Size:288K  cystek
dtc114es3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

Spec. No. C351S3 Issued Date 2002.06.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.10 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114ES3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 6.1. Size:57K  motorola
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114ES NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit design handbook, halfpage 2 Reduces numbe

 6.2. Size:57K  philips
pdtc114es 3.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114ES NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit design handbook, halfpage 2 Reduces numbe

 6.3. Size:118K  onsemi
dtc114eseria 8a-m sot416.pdfpdf_icon

DTC114ES3

DTC114EET1 SERIES Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor http //onsemi.com Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series ba

Другие транзисторы: DTC114EC3, DTC114EEFRA, DTC114EET1G, DTC114EKAFRA, DTC114EM3, DTC114EM3T5G, DTC114EMFHA, DTC114EN3, 2N3055, DTC114EUAFRA, DTC114EY3, DTC114TEB, DTC114TEFRA, DTC114TET1G, DTC114TKAFRA, DTC114TM3, DTC114TM3T5G