DTC114ES3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC114ES3
Маркировка: 8A
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для DTC114ES3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC114ES3 даташит
dtc114es3.pdf
Spec. No. C351S3 Issued Date 2002.06.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.10 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114ES3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi
pdtc114es 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114ES NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit design handbook, halfpage 2 Reduces numbe
pdtc114es 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114ES NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit design handbook, halfpage 2 Reduces numbe
dtc114eseria 8a-m sot416.pdf
DTC114EET1 SERIES Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor http //onsemi.com Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series ba
Другие транзисторы: DTC114EC3, DTC114EEFRA, DTC114EET1G, DTC114EKAFRA, DTC114EM3, DTC114EM3T5G, DTC114EMFHA, DTC114EN3, 2N3055, DTC114EUAFRA, DTC114EY3, DTC114TEB, DTC114TEFRA, DTC114TET1G, DTC114TKAFRA, DTC114TM3, DTC114TM3T5G
History: 2SC3563 | DTC114TEFRA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent






