DTC114TN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC114TN3

Маркировка: 8E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DTC114TN3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114TN3 даташит

 ..1. Size:283K  cystek
dtc114tn3.pdfpdf_icon

DTC114TN3

Spec. No. C353S3 Issued Date 2002.06.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.16 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114TN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 7.1. Size:53K  motorola
pdtc114ts 2.pdfpdf_icon

DTC114TN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

 7.2. Size:52K  motorola
pdtc114tk 2.pdfpdf_icon

DTC114TN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

 7.3. Size:53K  motorola
pdtc114tu 3.pdfpdf_icon

DTC114TN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114TU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Preliminary specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TU FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

Другие транзисторы: DTC114EY3, DTC114TEB, DTC114TEFRA, DTC114TET1G, DTC114TKAFRA, DTC114TM3, DTC114TM3T5G, DTC114TMFHA, BD140, DTC114TS3, DTC114TUAFRA, DTC114TUB, DTC114WN3, DTC114WS3, DTC114YC3, DTC114YEFRA, DTC114YET1G