DTC114YN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC114YN3

Маркировка: 8D

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DTC114YN3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114YN3 даташит

 ..1. Size:146K  cystek
dtc114yn3.pdfpdf_icon

DTC114YN3

Spec. No. C355N3 Issued Date 2002.06.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2002.11.04 Page No. 1/4 General Purpose NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114YN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-f

 7.1. Size:144K  motorola
dtc114yerev1.pdfpdf_icon

DTC114YN3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by DTC114YE/D DTC114YE Preliminary Data Sheet Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with 3 Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a 2 1 monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resis

 7.2. Size:94K  motorola
dtc114ye 69 sot416.pdfpdf_icon

DTC114YN3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by DTC114YE/D DTC114YE Preliminary Data Sheet Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with 3 Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a 2 1 monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resis

 7.3. Size:56K  motorola
pdtc114yt 3.pdfpdf_icon

DTC114YN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC114YT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 and 47 k respectively) Simplification of circuit design 3 Re

Другие транзисторы: DTC114WS3, DTC114YC3, DTC114YEFRA, DTC114YET1G, DTC114YKAFRA, DTC114YM3, DTC114YM3T5G, DTC114YMFHA, 2SC2073, DTC114YS3, DTC114YUAFRA, DTC115EC3, DTC115EEFRA, DTC115EET1G, DTC115EKAFRA, DTC115EM3, DTC115EM3T5G