DTC115EET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC115EET1G

Маркировка: 8N

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTC115EET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EET1G даташит

 ..1. Size:144K  onsemi
dtc114eet1g dtc114tet1g dtc114yet1g dtc115eet1g dtc123eet1g.pdfpdf_icon

DTC115EET1G

DTC114EET1 Series, SDTC114EET1 Series Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single http //onsemi.com device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two r

 6.1. Size:138K  nxp
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdfpdf_icon

DTC115EET1G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.2. Size:180K  rohm
dtc115eeb.pdfpdf_icon

DTC115EET1G

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC115EEB Applications Dimensions (Unit mm) EMT3F Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) Each bias resistor is a thin-film resistor. Since they are completely insu

 6.3. Size:45K  rohm
dtc115ee-eua-eka-esa 29 sot346-323-416.pdfpdf_icon

DTC115EET1G

(94S-522-A115E)

Другие транзисторы: DTC114YM3, DTC114YM3T5G, DTC114YMFHA, DTC114YN3, DTC114YS3, DTC114YUAFRA, DTC115EC3, DTC115EEFRA, 2SC4793, DTC115EKAFRA, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3